Накопитель SSD 2 ТБ Samsung 990 PRO (Heatsink) (MZ-V9P2T0CW***)

Описание Накопитель SSD 2 ТБ Samsung 990 PRO (Heatsink) (MZ-V9P2T0CW***)

Samsung 990 Pro основывается на новом контроллере Pascal. Как и предыдущий чип Elpis, он производится по 8-нм техпроцессу и построен на ядрах с архитектурой Arm. Оптимизации в Pascal затронули механизм работы с массивом флеш-памяти, который стал допускать параллелизм на большем числе этапов, а внутреннее кеширование теперь распространяется в том числе и на операции чтения. Второе изменение в 990 Pro — память. Микросхемы, установленные на накопителе, имеют маркировку K9DVGY8JRD-DCK0, что указывает на фирменную TLC 3D V-NAND седьмого поколения — с 176 слоями. В 990 Pro используются 512-Гбит чипы, и за счёт этого даже накопитель объёмом 1 Тбайт, имеет восьмиканальный массив памяти, где контроллер может пользоваться двукратным чередованием устройств. При этом 176-слойная память обладает целым рядом преимуществ по сравнению со старой 128-слойной TLC 3D V-NAND, которую Samsung устанавливает в 980 Pro. Она имеет увеличенную скорость интерфейса 2,0 ГГц против 1,2 ГГц, обеспечивает на 11 % более низкую задержку при чтении и более чем вдвое быстрее программируется. Всё это достигается за счёт серьёзных изменений в архитектуре: кристаллы флеш-памяти седьмого поколения поделены на четыре, а не на два банка, плюс в них Samsung впервые расположила логику под ячейками NAND. В результате 176-слойная TLC 3D V-NAND получила плотность записи данных на уровне 8,5 Гбит/мм2, что в теории означает её более низкую себестоимость. Так как 990 Pro относится к накопителям флагманского уровня, на его плате нашлось место и для собственного DRAM-буфера. В данном случае используется LPDDR4-1866-память, её объём выбран по стандартной формуле «1 Мбайт буфера на 1 Гбайт ёмкости накопителя». Поэтому в накопителе ёмкостью 1 Тбайт установлена одна микросхема LPDDR4 объёмом 1 Гбайт.